台积电2nm工艺继续涨价:芯片价格将会飙升
发布时间:2024-12-25 09:37:50 作者:玩站小弟 我要评论
12月9日消息,据媒体报道,台积电在新竹宝山工厂开始2nm试产,其良率达到了60%,超越台积电内部预期,除了宝山工厂外,明年上半年台积电还计划在高雄工厂开展2nm试产工作。据了解,代工厂批量生产芯片,
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12月9日消息,台积据媒体报道,工格台积电在新竹宝山工厂开始2nm试产,艺继其良率达到了60%,续涨超越台积电内部预期,价芯除了宝山工厂外,台积明年上半年台积电还计划在高雄工厂开展2nm试产工作。工格
据了解,艺继代工厂批量生产芯片,续涨需要70%甚至更高的价芯良率,按照台积电的台积进度,在2nm大规模量产之前,工格台积电有时间能将良率提升到量产标准。艺继
伴随着2nm时代的续涨到来,其价格也跟着水涨船高,价芯消息称台积电2nm晶圆的价格超过了3万美元,目前3nm晶圆的价格大概在1.85万至2万美元,对比可见2nm工艺的价格将会大幅提升。
值得注意的是,台积电的订单报价包含多种因素,和具体的客户以及订单量有关,部分客户可能会有些优惠,3万美元是一个较为粗略的数字。
公开报道显示,自2004年台积电发布90nm芯片以来,彼时晶圆报价近2000美元,制程技术到2016年演进至10nm后,报价增幅显著,至6000美元。进入7nm、5nm制程世代后,报价破万,5nm更是高达16000美元,且该统计价格尚未计入台积电2023年6%的涨幅。
在今年10月份,高通、联发科旗舰芯片全部转向3nm工艺制程,相关终端掀起了一轮涨价潮,半导体业内人士预计,由于先进制程报价居高不下,芯片厂商成本高企,势必将成本压力转嫁给下游客户或终端消费者。
值得注意的是,台积电在2nm制程节点将首度使用Gate-all-around FETs晶体管,另外N2工艺还能搭配NanoFlex技术,为芯片设计人员提供了灵活的标准元件。
与现有的N3E工艺相比,预计N2工艺相同功率下性能会有10%到15%的提升,或者在相同频率下功耗会下降25%到30%,同时晶体管密度将提升15%。
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